營運概況
(一) 業務內容
業務範圍
本公司為專業積體電路(IC)設計公司,從事客製化記憶體相關的研發、設計、製造與銷售,並提供矽智財的技術支援與授權,為全球非標準型記憶體 IC設計之領導廠商,以優越的品質與整合性的服務,協助客戶實現理想,推出創新、改變世界的產品。
目前主要產品之營業比重
目前之商品(服務)項目與用途
本公司為專業積體電路(IC)設計公司,主要業務為提供記憶體相關積體電路產品之設計、生產及銷售,目前主要之業務如下:
IoT 相關記憶體產品,主要可分為以下三大類:
A. 虛擬靜態隨機存取記憶體(Pseudo SRAM)
具有低引腳數、體積小及低耗電等特性,主要係應用於穿戴式裝置及物聯網相關產品上,本公司為該產品全球主要領導廠商。
B. 低功耗動態隨機存取記憶體(Low Power DRAM)
具有低成本、體積小及低耗電等特性,可應用於智慧型手機及各式行動裝置中。
C. 客製化 DRAM 產品(Customized DRAM)
為支援客戶特殊應用規格而優化之客製 DRAM 產品,如超低功耗(ultra-low-power)、超高頻寬(ultra-high-bandwidth)、以及邏輯製程之記憶體(logic in memory),以支援新一代高速物聯網應用。
AI 相關記憶體產品及其授權與設計服務:
人工智慧的大量運算需要使用大容量,高速的緩存記憶體來使系統可以快速執行運算,大量應用於機器學習(Machine learning) 及推理 (Inference)。本公司之客製化高速記憶體(VHMTM)產品及設計,藉由 3D 堆疊技術(3DIC),透過異質晶圓之整合,可提升系統效能,相較於高屏寬記憶體(HBM)具有優勢,在頻寬及功耗上具有優勢,主要應用於高速運算之 AI、網通等領域。
計畫開發之新商品(服務)
本公司持續致力於提供創新的 DRAM 解決方案,持續投入研發資源,開發以下新產品及新應用。
(1) 應用於穿戴式裝置及物聯網(IoT edge devices)上之超低功耗記憶體產品
(2) 人工智能(AI)應用之客製化記憶體
(3) 3D 堆疊客製化技術記憶體(VHM™;Very High-bandwidth Memory)之應用領域。
(4) 應用於下一代 5G 通訊之 LPDDR4 記憶體
(5) 記憶體內運算(In Memory Computing)
(6) 矽電容器(Silicon Capacitor);整合式被動元件(IPD, Integrated Passive Device)
產業概況
產業之現況與發展
產業現況
全球經濟存在不確定性,國際貨幣基金(IMF)公布(World Economic Outlook)更新報告,報告預估 112 年全球經濟成長率為 2.9%,低於 111 年預估的 3.4%。雖總體環境面臨諸多挑戰,卻無損半導體產業持續發展向前。5G的普及以及智慧城市、智慧家庭、邊緣運算等應用持續蓬勃發展,提供全球半導體多面向的成長動能。
台灣 IC 產業市場整體概況
工研院產科國際所統計 111 年台灣 IC 產業產值達新台幣 48,370 億元(USD$162.3B),較 110 年成長 18.5%。其中 IC 設計業產值為新台幣 12,320億元(USD$41.3B),較 110 年成長 1.4%。新台幣對美元匯率以 29.8 計算。
DRAM 市場概況
由於終端電子產品市況持續低靡,銷售量減少及價格下跌。WSTS 預估112 年記憶體銷售額將年減 17.0%至 1,116.24 億美元。然在 5G、AI、和 IoT持續演進發展的趨勢下,各終端應用所需記憶體容量及頻寬大幅提升,待景氣回溫後方能回到成長軌道。本公司專注於客製化的物聯網記憶體及 AI 記憶體,有別於傳統標準型 DRAM,並不跟隨 DRAM 市價起伏。
產業上、中、下游之間的關聯性
IC 設計公司為積體電路產品設計公司,主要業務為自行設計產品銷售或接受客戶之委託設計,屬知識密集產業。IC 設計業在產業價值鏈中,屬於上游產業,完成最終產品前,必須經過專業晶圓代工廠或 IDM 廠(整合型半導體廠)製作成晶圓半成品,再經由前段測試,然後轉給專業封裝廠進行切割及封裝,最後由專業測試廠做後段測試,測試後之成品則經由銷售管道售予系統廠商裝配生產成為系統產品。
產品之未來發展趨勢
(1) 超低功耗
(2) 晶粒尺寸縮小化、腳數減少
(3) 應用範圍廣泛
(4) 科技發展帶來之 DRAM 新應用
市場競爭情形
DRAM 產業經汰弱整理後,已經逐漸整合,全球主要 DRAM 廠商僅剩Samsung、Micron、SK Hynix 等,而國內較具規模之 DRAM 製造商為南亞科、華邦電及力晶,本公司於國內 IC 設計廠商主要競爭對手則以南亞科、華邦、晶豪科、鈺創等為主,惟前述廠商係以標準型記憶體為主,而本公司則著重於針對客戶要求進行記憶體產品之設計與開發。
技術及研發概況
技術層次及研究發展
本公司依 IoT 事業部及 AI 事業部分別進行不同應用市場之策略布局及研發作業。
本公司 IoT 事業部持續主導全球 IoT RAM 市場,將 PSRAM、Low-power DRAM、矽電容器(IPD)等產品線以良裸晶(Known-Good-Die, KGD)形式及晶圓級封裝(WLCSP)形式,推展於穿戴裝置、智能聯網及 AIoT 產品之應用上。IoT 事業部產品之年出貨量約 10 億顆,作為產業的領導者及規格制定者,本公司將持續在既有之技術基礎上,積極投入研發資源、開發產品新的應用端。
本公司 AI 事業部於完成全世界第一個 3D 異質整合 DRAM 及邏輯晶片之開發後,推出 VHM™ DRAM 及 IP 等產品線,打造出全新的市場及生態。VHM™ 及 VHMLinK™ IP 於晶圓量產前,帶來權利金收入,並於量產後帶來晶圓銷售收入。AI 事業部之應用也包括 AI 及 HPC 應用,在超高頻寬及 Efficient IO power等領域亦佔領先優勢。
最近年度及截至年報刊印日止投入之研發費用
本公司最近二年度及最近一季之研究發展費用佔營收淨額之比例如下,110 及 111 年研發費用金額分別為 359,104 仟元及 462,066 仟元。在 112 第一季,在研發團隊擴充及持續開發新產品下,研發費用已達 111,868 仟元,本公司本於厚植研發實力與佈局新產品線,對於研發之投入不遺餘力。
最近年度及截至年報刊印日止開發成功之技術或產品
(1) 異質晶圓之 3D 堆疊技術 (VHM™)
(2) Ultra-High-Speed OPI Pseudo-SRAM
(3) Ultra-Low-Swing OPI Pseudo-SRAM
(4) 推出矽電容器(Silicon Capacitor);整合式被動元件(IPD, Integrated Passive Device)產品
本公司現有專利之狀況
長、短期業務發展計畫
短期營業目標
(1) 以卓越的核心技術、完整的售後服務與技術支援,為既有客戶創造最大的價值。
(2) 持續拓展行銷通路據點,將外銷市場觸角延伸至美國及歐洲等市場。
(3) 持續與晶圓廠及測試廠維繫良好之合作關係,以獲取產能及生產成本優勢。
(4) 積極開發產品新的應用市場,以擴大產業佈局。
(5) 掌握產品趨勢及客戶需求,降低研發風險。
(6) 整合集團管理資源,強化內部控制及公司治理,提高經營管理效率。
長期營運方向
(1) 以持續創新為使命:身為研發設計公司,愛普不會停止創新的腳步,並透過定期教育訓練,讓創新成為愛普員工的 DNA。
(2) 運用既有的記憶體核心技術,逐步開發高附加價值之相關產品,以提升整體產品競爭力,讓愛普 AP Memory 成為不可取代的品牌。
(3) 與原有晶圓及測試代工廠商維持良好關係;並尋求新代工廠商的配合,擴大代工供給能力。
(4) 持續與世界級大廠之合作關係,並尋求共同制定規格與合作開發,維繫長久夥伴關係。
(5) 推動異業策略聯盟,加速開發記憶體以外之其他多元化積體電路產品線,增加公司整體競爭優勢。
(6) 整合管理資源,及時提供決策資訊,以因應產業變化,保持最佳競爭能力。
(二) 市場及產銷狀況
市場分析
主要商品之銷售地區
市場佔有率
依據工研院產業經濟與趨勢研究中心(IEK)公佈台灣 IC 設計產業 Memory 產值推估本公司之市佔率,111 年台灣 IC 設計產業產值為新台幣 12,320 億元,以本公司 111 年之合併營業收入淨額推算約佔其中 0.41%。係因本公司係著重客製化之記憶體相關產品及設計服務,是故以產業產值估算,佔比偏低。
市場未來供需狀況與成長性
本公司為專業 IC 設計廠商,核心業務為提供客製化記憶體相關積體電路產品之設計、生產及銷售,目前除設計生產使用於 IoT 相關邊緣運算裝置(Edge device)之虛擬靜態隨機存取記憶體(Pseudo SRAM)及低功耗動態隨機存取記憶體(Low Power DRAM)之晶片產品;另本公司 VHM™ 為全世界 DRAM 與邏輯晶片的真 3D 堆疊異質整合技術之首例,提供高頻寬運算之記憶體解決方案。
隨著全球高速運算(HPC)市場加速發展,AI 應用漸趨多元化,運算需求不斷提升,進行發展重點將著重於將真 3DIC 堆疊的異質整合技術建置得更為完整,投入開發 CoW uBump (Chip-On-Wafer microBump)技術。這個技術著重與後段的封測廠搭配開發,其連接密度雖較低於 WoW 應用,但是相對能提供主流應用在設計架構上有較大彈性。藉由 WoW 與 CoW 兩種技術,預期未來客戶需求將大幅湧現,現階段公司將持續投入資源打造完善可以量產的供應生態鏈,以提供客戶完整的供貨體系。
競爭利基
(1) 經營團隊經驗豐富
(2) 與供應商廠商關係良好
(3) 提供完整的銷售服務
(4) 與客戶共同制定產品規格
發展遠景之有利、不利因素與因應對策
有利因素
A. 行動記憶體市場需求持續增加
B. 國內半導體分工體系完整,提供 IC 設計公司充分之後勤支援
C. 研發人員熟稔產業技術,具有堅強的研發實力
D. 與全球資訊大廠維繫良好的合作關係
不利因素與因應對策
A. 市場變化快速
因應對策:
a. 與供應商及客戶保持良好的互動關係,透過研發中心及業務人員與客戶的第一線接觸,以利掌握市場趨勢及產品脈動。
b. 定期召開經營會議,就銷售、接單、庫存等狀況決定銷售計劃及修正銷售預測,以達到準確的銷售預測為目標。
c. 不斷開發新產品並創新功能,以瞭解世界級大廠之產品方向取得市場先機。
B. 市場競爭日趨激烈,DRAM 代工廠產能吃緊
因應對策:
a. 持續創新產品與功能,並進行垂直與橫向整合的可行性評估,創造產品附加價值。
b. 不斷改進產品設計模式,以增加設計模組可再次利用率,縮短開發時程與降低成本,增加競爭力。
c. 自行研發與合作整合兼容併行,縮短產品研發時間。
d. 加強人才培訓提昇自行研發實力,以因應產品變化速度。
C. 產品以外銷為主,需面臨匯率波動之風險
因應對策:
本公司主要係利用外幣資產負債互抵進行自然避險,若有避險需求,將適時運用遠期外匯等各項金融工具之操作規避匯率波動可能造成之損失。
主要產品之重要用途及產製過程
主要產品之重要用途
本公司主要提供客製化記憶體相關積體電路晶片之研發、銷售以及設計服務,以作為各式行動裝置及邊緣運算裝置中之緩存記憶體,並具有體積小、低功耗、高效能等產品特性。
產製過程
本公司為專業之 IC 設計公司,所研發之 IC 晶片依各製程分別委託晶圓廠及測試廠等代工生產,以下為產品製造程序之流程圖:
主要原料之供應狀況
主要進銷貨客戶名單
最近二年度任一年度中曾占進貨總額百分之十以上之供應商名稱及其進貨金額與比例,並說明其增減變動原因
變動分析:
111 年半導體產業從上半年的供不應求,到下半年急轉為庫存積壓、需求疲軟,受此產業景氣劇烈變化下,本公司致力於去化既有庫存,故 111 年整體進貨需求大幅下降。
最近二年度任一年度中曾占銷貨總額百分之十以上客戶名稱及其銷貨金額與比例,並說明其增減變動原因
變動分析:
IoT 產品線之終端應用需求因全球半導體產業庫存積壓及需求疲軟,本公司111 年度 IoTRAM 之營收亦受牽累而減少,應用於穿戴式裝置及 LTE 數據機等物聯網相關出貨佔比大幅下降,客戶端在景氣不佳及庫存積壓下,也連帶影響主要客戶占比之增減變動。
最近二年度生產量值表
變動分析:
本公司在 IoT 產品線之相關應用需求大幅減少下,因而影響 111 年產量及產值。
最近二年度銷售量值表
變動分析:
111 年度半導體產業衰退,記憶體市場需求疲弱,致使本公司營收大幅減少23%,尤以國外客戶之需求為營收之主要成長動能,外銷量大幅下降 59%,外銷金額相對減少 24%。