(一) 業務內容
業務範圍
本公司所營業務營業比重
公司目前之商品及服務項目
A.異質接面雙載子電晶體(HBT)磊晶片
B.假晶高電子遷移率電晶體(PHEMT)磊晶片
C.磷化銦異質接面雙載子電晶體(InP HBT)磊晶片
D.異質接面雙載子暨假晶高速電子移動電晶體(BiHEMT)磊晶片
E. PD、APD 磊晶片(波長 650nm~1700nm、1900nm~2600nm)
F. 2.5G FP、DFB LD 磊晶片；10G FP、DFB LD 磊晶片
G.EEL 及 VCSEL 磊晶片
H.高功率 FP、DFB LD
I.多接面太陽能電池磊晶片
計劃開發之新商品及服務
- 微電子產品
- 光電子產品
預計投入之研發費用
112 年預計投入研發費用新台幣 360,000 仟元。
產業概況
產業之現況與發展
產品概況
全新光電係以 MOCVD 技術專業生產Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體磊晶片，而所謂半導體(semiconductor)就是導電性介於導體(conductor)與絕緣體兩極端值之間的材料，其特點在於可以適量加入不同的雜質以改變材料特性(就是所謂的摻雜)，並經由熱與光的應用而得到重大改變。
因Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體具備高工作頻率、低雜訊、抗天然輻射、能源使用率佳、能階帶可調整及電子移動速度快等優點，而發展為近年無線通訊、光纖通訊、光學感測、太陽能電池及光顯示之關鍵組件，本公司產品主要分微電子(Microelectronics)及光電子(Photonics)。
根據Yole之預測Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體各類產品之市場規模及產量成長預測如下圖。
微電子(Microelectronics)
a. HBT(異質接面雙載子電晶體)
HBT 因物理特性具備高線性度、良好寬頻響應、高崩潰電壓、高增益、高效率、較低寄生效應、無需負偏壓設計、低相位雜訊等優點，致使其功能顯現具有功率放大倍率佳、待機耗電流較低、體積小等特色，故 HBT 為手機及無線區域網路(WLAN, Wireless Local Area Network)用 PA(Power Amplifier, 功率放大器)之主流技術，尤其 5G 手機 PA 必須同時滿足 envelop-tracking mode(ET)高飽和效率(Saturated Efficiency)及 average-power tracking mode(APT)高線性度效率(Linearity Efficiency)，透過 HBT 材料結構的精進提高增益(Gain)及功率(Power Output)，在 5G 世代持續不可或缺、無可取代。
b. PHEMT(假晶高速電子移動電晶體)
PHEMT 因為 InGaAs 的加入，特別適用於 RF Switch 的應用使得它在電腦與電腦間的無線區域網路、固網長途無線傳輸的無線本地迴路(Wireless Local Loop，WLL)，乃至於光纖通訊、衛星通訊、點對點微波通訊、衛星直播、有線電視、數位電視應用、Automobile radar及汽車防撞系統等應用，都有相當大的成長空間。惟 PHEMT 在射頻開關(Switch)之應用漸受SOI 技術之影響，不再為 Switch 使用材料之唯一選擇，手機在 LNA(Low Noise Amplifier)的特性對低雜訊的要求更高，PHEMT 因電子移動速率(Mobility)較高，較易達成低雜訊之要求，GaAs PHEMT 也更能滿足線性度(Linearity)要求且體積較小，是 LNA 在 Silicon 材料外之另一選項，此外以 PHEMT 為基地台 PA 及 WiFi 之 Switch 及 LNA 之材料，亦有配合不同之客戶做產品開發與量產之規劃。
c. BiHEMT(異質接面雙載子暨假晶高速電子移動電晶體)
經由電路設計透過磊晶成長及製程將 InGaP HBT 線性功率放大器、AlGaAs PHEMT 高頻開關、AlGaAs PHEMT 邏輯控制電路、AlGaAs PHEMT 低雜訊的功率放大器、被動元件及內部連接線路整合在單一砷化鎵晶片中。由於可以提高晶片整合度，降低晶片尺寸，使得材料與製造成本下降，除了模組尺寸縮小之外，其封裝成本更低，因此大大地降低了材料成本，且由於其內部元件都屬砷化鎵基的元件，因此可以節省一些偏壓及控制電路，使其更為省電。BiHEMT 的結構也提供電路設計者更大的設計彈性，其內部每個單元可以選擇不同的元件結構以達到更佳的特性。
d. GaN
隨著 5G 通訊技術採用的頻段愈來愈高，波長短導致訊號傳輸距離變短、並且易受到阻礙物干擾，而這項缺點將透過 Small Cell 之建置補足訊號傳輸完整性之目標，GaN PA 可支援 5G 毫米波所需要的高傳輸量與寬頻，可應用在 5G 基站和 Small Cell 上。
光電子（Photonics）
本公司光電子產品已投入多年，多項新產品通過客戶驗證及量產，隨著產業與客戶需求而成長，光電子產品營收比重增加屬產品組合優化的結構性調整，對降低經營風險、避免過度依賴手機市場及提升獲利能力有極大之效益。
本公司光電子元件主要包括下列產品，相關產業規模及成長性如下：
a. Photo Detector(PD)
b. Laser Diode(LD)
c. VCSEL
VCSEL 與傳統雷射比較具備下列優點：
- 窄線寬、圓錐形雷射光束易與光纖耦合
- 在低電流準位具有快速調變功能，適用於高速傳輸之應用領域
- 單模輸出
- 低驅動電流
- 高輸出功率
- 正面發光的特性可設計 1D 或 2D Arrays
- 晶片在封裝前即可進行測試，可大幅降低成本
應用面主要分兩大類，產值如圖：
- High Power 類應用(如消費性電子產品 3D Sensing、車用、安全監控、醫療美容等)。
- High Speed 類應用(25G for Data Center、短距離光收發模組產品等)。
目前多家車廠包含 Audi、Benz、BMW、小鵬、蔚來等，皆已發表搭載LiDAR車款，並且無人自駕車廠商包含 Waymo、Cruise等，產業包含物流、計程車，根據 Yole 報告顯示(如圖)，汽車應用將是 LiDAR 市場未來成長的最大動力來源，包含 ADAS與無人自駕車。
產業結構
國內外廠商在化合物半導體領域上的投入狀況
在化合物半導體中，目前最廣泛應用在通訊產品上的就是 GaAs 材料；特別是在手機 RF模組、WiFi 及通訊基地台上關鍵零組件，從上游的磊晶(Epitaxy)到中游的晶圓代工(Foundry)及 IDM，都吸引了大量的資金投入，上表為國內外廠商在化合物半導體領域上的投入狀況。
產業上、中、下游之關聯性
生產一顆砷化鎵 IC，製程依序是拉晶(基板製造)，其次是磊晶，再其次就進入 IC生產的流程，最後是封裝與測試。如此，就完成一個化合物半導體 IC。
化合物半導體與元素(矽)半導體最大的不同點，就在於化合物半導體的磊晶過程比較複雜，所以才形成了單獨的磊晶事業，而矽的磊晶步驟則多在晶圓廠中進行。磊晶會因產品之用途不同，於砷化鎵晶圓片上面放上一些特定的材料，例如：AlGaAs、InGaP 等，以材料掺雜、結構調整等方式達到客戶端對元件電性特性之要求，由於元件特性多半於磊晶階段決定，因此磊晶是供應鏈中相當重要的一環攸關客戶端產品良率、特性與品質。
產品之各種發展趨勢及競爭情形
產品發展趨勢
微電子元件磊晶片
除了 GaAs 以外，本公司亦積極送樣 GaN 使用在通訊相關產品，依據客戶需求分別有 GaN on SiC、GaN on Si、GaN on Sapphire 等不同基板的磊晶設計，並且已有通過客戶認證進入量產。
光電子元件磊晶片
因應 4G、5G 基地台、光纖網路及數據中心之建置使本公司之 PIN Diode 之需求大幅成長，PIN Diode 是 PIN 光探測器(PIN Photo Detector)之材料，光探測器主要用於光纖通訊之接收端，將收到的光訊號還原為電訊號經過網路處理器運算解碼後完成通訊。
競爭情形
微電子元件
本公司主要產品為異質接面雙載子電晶體(HBT)磊晶片，在國外競爭者主要為英商 IQE(2013 年 1 月 IQE 取得 Kopin 之 MOCVD 磊晶部門)及日商 Hitachi Cable；國內主要競爭者為台灣高平(原為美商 Kopin 之台灣子公司，亦隨 IQE 之購併交易併入 IQE 旗下)。
光電子元件
本公司光電子產品採用 MOCVD 機台製作磊晶層，在國外競爭者主要為英商IQE；國內主要競爭者為聯亞光電。
技術及研究發展概況
最近五年度每年投入之研發費用
開發成功之技術或產品
- 4/5/6 吋 AlGaAs HBT 磊晶片
- 4/5/6 吋 InGaP HBT 磊晶片
- PHEMT 磊晶片
- VCSEL 磊晶片
- 780nm LD 磊晶片
- PIN Diode 磊晶片
- 低操作電壓 HBT 磊晶片
- 6 吋 BiHEMT 磊晶片
- 4/6 吋高效率多接面太陽能電池磊晶片
- 10 FP/DFB LD 磊晶片
長、短期業務發展計劃
短期發展計畫
行銷計畫
- 強化公司產品在品質、成本、交期方面之實力
- 積極參與客戶端新產品
- 以技術服務深化客戶關係
生產及營運計畫
- 降低成本
- 提升品質
研發計畫
加速研發光電子新產品通過客戶驗證，爭取光通訊、光感測產業和車用光達蓬勃發展之商機，創造光電子產品營收與獲利之成長，帶來產品組成與客戶結構的多角化，有效分散營運風險。
長期發展計畫
行銷策略
A.提高市場佔有率：對於主力產品如 HBT，藉由產品技術、品質、服務、價格及交期之優勢，配合市場之成長性及本身產能之提昇，提高主力產品之市場佔有率。
B.強化客戶服務：積極與客戶互動及早掌握客戶下一代產品之規格、結構、材料，以縮短新產品上市時程。
生產策略
A.運用完善的產銷機制及生產排程，達到準時出貨目標。
B.提昇品質：藉由產品製程及作業的不斷改良，確保提供客戶優良的產品品質。
C.降低成本：定期的原物料 cost down、持續的工作流程簡化和治工具的改良，提高生產效率、降低人工成本；提高廠務設施及生產設備的妥善率，降低異常的發生機率及損失。
產品發展
A.完善的市場及產業分析，擇定具市場性之新產品為開發項目。
B.適切的資源配置，以有效累積經驗、控制成本與開發時程。
C.持續設計與改進 MOCVD 機台之性能，以符合新產品特性要求及量產需求。
D.發展自行驗證之能力，確保新產品之品質符合客戶要求之客性與規格。
營運策略
持續簡化流程、提升效率與各項作業品質、控管成本。
人力資源策略
A.積極延攬優秀之技術人才，透過教育訓練，持續提升同仁之專業能力、成本意識與品質素養。
B.積極培育中、高階主管，以因應營運成長所需之管理人才。
C.整合公司策略、目標，建立績效導向之企業文化，導引同仁之投入與公司發展目標一致。
(二) 市場及產銷概況
市場分析
主要商品之銷售地區
市場佔有率
本公司主要營收以微電子產品為主，終端產品應用面為無線通訊元件，為各種消費性產品之上游主要材料。本公司因技術卓越、品質穩定、價格具競爭優勢而逐年提高市場佔有率，經業界財報推估，110 年 GaAs epi-wafer 無線通訊營收已站上世界第一。
市場未來的供需狀況與成長性
- 無線通訊新產品應用推陳出新
- 無線通訊規格演進
- 3D sensing 於消費性產品應用
- 車用 LiDAR
競爭利基
自行研發之技術
A.降低成本：無須支付權利金或技術移轉費，可有效降低產品成本。
B.縮短新產品上市時程：本公司以自有技術研發產品，不需透過其他公司授權，可有效掌握新產品上市時機。
新產品研發能力
新產品研發能力與量產能力為化合物半導體磊晶產業兩大核心能力，主要包括：
A.完善的市場及產業分析：以擇定具市場性之新產品開發之項目。
B.適切的資源配置：以有效累積經驗、控制成本與開發時程。
C.持續設計與改進 MOCVD 機台之性能，以符合新產品要求及量產需求。
D.開發新驗證能力。
量產能力
量產能力之具體表現為通過客戶認證，持續穩定地出貨，本公司 HBT 自89 年陸續通過多家客戶認證(包括全球最大客戶)，量產能力已備受肯定。
產業進入障礙高，本公司已通過主要客戶認證具先佔優勢
具成本競爭優勢
持續降低成本、消除營運流程過程中所有可能之浪費，持續提升良率永無止境，確保本公司之獲利能力與長期競爭力，並以成本優勢回饋客戶，提高客戶之價格優勢，形成雙贏互惠之夥伴關係，並藉此形成客戶忠誠度。
提供客戶優質的技術服務
協同客戶研發新產品，不僅協助客戶縮短新產品開發之交期，並與客戶密切配合共同改進製程之良率。
發展遠景之有利及不利因素
本公司的有利因素計有：
- 均衡發展的產品結構，可避免單一產品之經營風險
- 市場成長空間廣大
- A.終端產品衍生之需求
- B.專業磊晶代工之成型：台灣的晶圓代工業(Foundry，如穩懋、宏捷、聯穎等)目前已成型並具備一定的量能，全新光電是台灣唯一具自有技術之砷化鎵磊晶公司，與下游之代工廠合作具地利之便，未來台灣成為全球砷化鎵生產重鎮指日可待。
- 明確的策略定位，易與客戶發展長期合作關係
- 成本競爭優勢
- 產能充裕
- 堅強的經營團隊與優質的企業文化
本公司不利因素如下：
- 人才不足
- 產業循環加劇
因應措施
延攬專業人才
積極自國外延攬相關專業人才加入技術及經營團隊，並同步與國內大學相關系所密切合作。
建立客戶忠誠度
藉由產品品質、服務、價格、交期及產能之優勢，提高各產品在個別客戶之銷售比重，積極與客戶互動及早掌握下一代產品之規格、結構、材料，領先競爭對手，縮短新產品上市時程。
主要產品之重要用途及產製過程
主要產品之重要用途
產製過程
主要原料之供應狀況
最近二年度主要進銷貨客戶資料
最近二年度任一年度占進貨總額百分之十以上之供應商名稱、金額與比例
本公司主要原料為砷化鎵基板、有機金屬、貴金屬及特殊氣體，因手機終端庫存尚待消化致需求減少，使 111 年度生產量遞減，故 111 年度進貨淨額較 110 年度減少 24.96%。
最近二年度任一年度占銷貨總額百分之十以上之客戶名稱、金額與比例
本公司係以 MOCVD 為核心技術，主要產品為微波通訊產品及光電子產品，營收減少係因疫情、通膨等不利因素持續衝擊智慧手機市場，故 111 年度銷貨淨額較 110 年度減少27.85%。
最近二年度生產量值
產量單位：片/產值單位：新台幣仟元
最近二年度銷售量值
銷量單位：片/銷值單位：新台幣仟元
(三) 從業員工
