營運概況
(一) 業務內容
業務範圍
本公司專注於成為全球記憶體市場之關鍵供應商，透過卓越的產品 研發能力及製造成本優勢，致力提供高品質、先進的記憶體產品及服務。
目前本公司主要之商品項目:
1. DRAM 晶片
(1) DDR2 DRAM
—容量:512Mb、1Gb
—速度:800Mb/s、1066Mb/s
(2) DDR3 DRAM
—容量:1Gb、2Gb、4Gb
—速度:1600Mb/s、1866Mb/s、2133Mb/s
(3) DDR4 DRAM
—容量:4Gb、8Gb
—速度:2667Mb/s、2933Mb/s、3200Mb/s
(4) DDR5 DRAM (研發中)
—容量:8Gb、16Gb
—速度:4800Mb/s、5600Mb/s
(5) LPDDR2
—容量:1Gb、2Gb、4Gb
—速度:1066Mb/s
(6) LPDDR3
—容量:4Gb、8Gb
—速度:1866Mb/s、2133Mb/s
(7) LPDDR4/4X
—容量:2Gb、4Gb、8Gb
—速度:3200Mb/s、3733Mb/s、4267Mb/s
2. 晶圓製造服務
本公司業務策略鎖定消費型電子、行動裝置及伺服 器為主要應用市場，提供完整的產品組合，以滿足低、中、高 容量的市場需求，產品線包括 512Mb/1Gb DDR2、1Gb/2Gb/4Gb DDR3、4Gb/8Gb DDR4、1Gb/2Gb/4Gb LPDDR2、4Gb/8Gb LPDDR3 及 2Gb/4Gb/8Gb LPDDR4/4X 等規格。
3. 計畫開發之新商品及服務
20 奈米產品在既有消費型應用客戶基礎上持續優化低功率產品多元應用，提升產品速度，推展至高階車載、高階電視 等。在伺服器產品的銷售，除穩定既有大型客戶外，亦將延伸至全球區域型數據中心的中小型客戶，增加銷售通路及客戶基礎。
10 奈米第一世代(1A)新製程產品推廣及量產銷售為本年度的營運策略主軸，已完成前導產品 8Gb DDR4 客戶驗證，並小量量產，同步降低 30 奈米產品的投片。同時準備下世代 DDR5 的產品。
10 奈米第二世代(1B)製程技術的前導產品已開始試產，預計於今年年底進入量產。後續的產品正在研發中，將陸續導入 試產。
產業概況
產業上、中、下游之關聯性
IC 產業(含 DRAM)依上、中、下游可依次分為 IC 電路設計、光罩 製作/晶圓材料、IC 製造、IC 封裝測試等產業體系如下表所示。本公 司在 IC 產業供應鏈中，主要負責上游 DRAM 設計及中游 DRAM 製造。
產品發展趨勢
主要應用趨勢
A. 伺服器：
(a) 人工智慧、機器學習、5G 持續帶動雲端/邊緣運算的需求，預計伺服器的出貨長期來看為穩定成長。惟短期總體經濟尚 未明確復甦，大型企業及雲端業者持續縮減營運成本的保守 策略衝擊下，112 年預估伺服器出貨僅可持平或小幅成長。
(b) DRAM 需求量成長來自雲端資料中心持續投資、新款處理器推 出，且搭載量也會隨著上半年 DDR5 新 CPU 平台的導入而提 高，以符合 5G 及 AI 高頻寬、低延遲、大量資料的需求。
B. 行動裝置：
(a) 智慧型手機全球銷售量因新冠疫情影響 110 年大幅下滑，111年 5G 手機出貨比重提升，DRAM 搭載也將同步增加，惟受到全球通膨、地緣政治、缺料影響較重，需求成長趨緩。
(b) 每台手機 DRAM 搭載量，主要仍以 6~8GB 為市場主流，蘋果手機也增加至 6GB。
C. 個人電腦：因疫情紅利結束且受到全球通膨、總體經濟疲弱影響，112年個人電腦需求預計為衰退。
D. 消費電子產品：遊戲機、影音串流裝置、 網路通訊、視訊及監控系統、智慧音響等消費性電子，預期 112 年銷售量將持平或小幅衰退;車用、智慧手錶、VR 頭盔、智慧 眼鏡因持續有 5G、元宇宙概念帶動，預期將穩定成長。
效能需求
A. 高容量
B. 高數據傳輸率
C. 低耗電
D. 功能需求：
(a) 高數據率及寬頻帶
(b) 多樣封裝規格
競爭情形
全球 DRAM 產業由大廠商形成寡占市場，產能擴張理性，加上先 進製程轉換難度高，產業供給每年位元成長趨緩。
技術及研發概況
所經營業務層次與研究發展
本公司專注於消費性、低功率及伺服器等 利基型產品線的開發與經營。在 20 奈米製程的基礎上提供高速 DDR4 及低功率 LPDDR4X 產品。且持續以 10 奈米級製程技術加速開發下世 代 DRAM 產品，提供完整產品組合以符合新世代電子產品要求。
最近五年度每年投入之研發費用(依合併財報資訊)
開發成功之技術或產品
(1)自設廠二年內成功地引進 OKI 0.45 微米、0.36 微米與 0.32 微米 16Mb DRAM 的設計、製程與元件分析，迅速地達到晶圓和成品的高良率，並立即採用電腦自動化的生產管理。
(2)成功地自行研發 0.32 微米 5V 16Mb EDO DRAM 的設計、製程與元件分析，並迅速導入生產線，且達成預期的良率。
(3)在短短二年中成功地設計了 0.32 微米 16Mb SDRAM、0.28 微米 16Mb(2Mb×8)、64Mb SDRAM 與 0.28 微米 16Mb SDRAM (1Mb×16)四種產品，其中 0.32 微米 SDRAM 及 0.28 微米 16Mb SDRAM (1Mb×16) 順利上線，曾為主力產品之一。
(4)自 IBM 成功地引進 0.20 微米與 0.175 微米之 64Mb 與 256Mb DRAM， 並依據此製程平台自行研發出 128Mb DRAM，並迅速導入生產線，且達成預期的良率。
(5)將一廠的製程技術由原先的堆疊電容製程，成功地轉換為以深溝電 容製程量產。二廠則以 0.20 微米製程技術為起始，並於開始生產後的八個月內全數轉換為 0.175 微米製程技術，且達到相當高的良率。
(6)成功地將 64Mb 與 128Mb DRAM 微縮至 0.175 微米製程技術。以 64Mb DRAM 為例，每片八吋晶圓所設計的顆數超過一千一百顆，成本極具競爭力。
(7)以 0.175 微米製程技術生產的 128Mb 及 256Mb SDR/DDR 共存設計為業界最佳設計。
(8)與 IBM 共同開發 0.14 微米製程技術及產品，並快速導入量產。
(9)以 0.175 微米製程，成功設計 PC333 DDR 產品，並在 0.14 微米產品上進行 DDR400 之開發與量產，以確保公司在 DDR 產品之世界領 導地位。
(10)以 0.14 微米製程，完成 DDR1 128Mb 特殊型記憶體產品開發與量產。
(11)以 0.11 微米製程，完成 DDR1 256Mb、512Mb 產品開發與量產。
(12)以 0.11 微米製程，完成 DDR2 400、533、667、800 之開發與量產， 以確保公司在 DDR2 產品之世界領導地位。
(13)以 90 奈米製程，完成 DDR1 512Mb/DDR2 400、533、667、800 之開發，以確保公司並提升在 DDR2 產品競爭力。
(14)以 70 奈米製程，完成 DDR2 512Mb、DDR2 1Gb、DDR3 1Gb 之開發驗證。
(15)111年完成 4Gb/8Gb LPDDR4 車規等級產品之內部驗證並導入量產。
長、短期業務開發計畫
短期業務發展計畫
- 優化 20 奈米產品組合，持續推廣 4Gb/8Gb LPDDR3/DDR4、 2Gb/4Gb/8Gb LPDDR4/4X 等產品，在消費性應用、智慧型手機、 智慧穿戴、智慧語音、低耗能攜帶型電腦及高速固態硬碟(SSD) 等應用市場取得一定占比。
- 持續與一線資料中心客戶的合作，提高出貨到伺服器市場的占比。
- 推出 20 奈米低功率車用產品，取得客戶驗證並開始出貨。
長期業務發展計畫
- 未來除持續推展現有各產品線業務外，將新增獨立自主開發的 DDR5 及 1A 製程產線，並提供高容量 16Gb 及更多元的產品組合， 服務客戶對於低、中、高容量的市場需求。
- 為厚植公司長期競爭力，112 年度計畫 1B 製程的第一顆產品完成 試產，及 1C 的測試產品完成製程測試;113 年起，逐步於現有廠 房導入 1B 量產及 1C 試產。新廠營建亦將如期進行，115 年起， 視市場需求導入製程設備。
(二) 市場及產銷概況
市場分析
主要商品之銷售地區
本公司客戶群遍及全球，在台灣、中國大陸、日本、美國及歐洲均設有銷售團隊，並建立全球銷售網路以提供快速且即時的服務。未來仍持續擴展各地區之客戶群，並因應更多樣化的市場應用及客製化產品的需求。
市場占有率
目前全球主要的 DRAM 供應商有三星(Samsung)、海力士(SK hynix)、美光(Micron)和南亞科技。本公司 111 年市場占有率約為 2.4%，全球排名第四。
競爭利基
在多元化應用趨勢及多樣化產品規格需求的穩健 DRAM 市場中， 本公司的定位為全球記憶體關鍵供應商。發展遠景之有利與不利因素 及因應策略
有利因素
A. DRAM 市場已由有能力掌握先進製程的廠商主導所形成的寡占 市場，市場將不致於產生巨幅波動。
B. 專注在消費性和低功率等利基型市場，持續深耕車用、網通、 客製化等需長期且穩定供貨之利基型市場。
C. 擁有 20 奈米製程技術及 10 奈米級自主開發能力，可提供完整 的產品線滿足客戶需求。
D. 本公司擁有台塑企業支持，再結合嚴謹的台塑生產管理系統， 嚴格管控品質、成本及交期。
不利因素
A. DRAM 先進製程困難度高，且投資金額龐大。
B. 市場應用多樣化且新興應用持續推出。
C. 新進者的威脅，於短期內並無影響，長期則需持續觀察。
因應策略
A. 研發 10 奈米級技術以保持競爭力。
B. 開發高容量產品，重點經營伺服器市場。
C. 以優質的客戶服務，與晶片商及客戶建立了緊密的策略聯盟基礎，共同致力於新世代消費性電子產品的推出，並滿足多樣化的需求。
D. 持續深耕消費性及低功率記憶體市場，並開發網通、車用、工 業電腦等需長期且穩定供貨之利基型市場。
E. 即時收集市場資訊及掌握客戶脈動，透過彈性調整產品組合， 以維持穩健的營運。
主要產品之重要用途及產製過程
主要產品之重要用途
本公司主要的產品為動態隨機存取記憶體(DRAM)，主要用途為存 放運算資料，其應用範圍相當廣泛，舉凡智慧手機、伺服器、個人電 腦、消費性電子及車用電子等產品皆屬之。
產製過程
積體電路的生產，主要分為三個階段:分別為矽晶片的製造、積 體電路的製作、積體電路的構裝(Package)，而本公司最主要乃從事 積體電路的製作。其製作流程非常複雜，基本上，約需經過數百個不 同的步驟，耗時約一、兩個月才得以完成。最主要乃利用黃光、蝕刻、 氧化、離子植入、薄膜等各製程，反覆幾百道手續完成後，將晶圓送 至測試區測試晶片上每顆 IC 之功能，再將晶圓送至封裝廠進行封裝 及測試。
主要原料之供應狀況
主要原料包括矽晶片、化學原料、光阻劑、特殊氣體及研磨劑等，供應廠商來自日本、美國及台灣等地，為世界主要半導體原料供應商並和本公司長期合作，因此在品質上均有相當程度水準，供貨穩定。為分散風險，本公司亦有完善的替代供貨來源，確保供應鏈不受突發事件而中斷。
最近二年度任一年度中曾占進(銷)貨總額百分之十以上之客戶
主要銷貨客戶資料
主要供應商資料
最近二年度生產量值表
最近二年度銷售量值表
從業員工最近二年度及截至年報刊印日止從業員工人數、平均服務年資、 平均年齡及學歷分布比率
環保支出資訊
111 年投入之環境資本支出為新台幣 498,249 千元，環境費用支出為新台幣 722,904 千元，共計新台幣 1,221,153 千元，約占合併營收之 2%。其 中環境資本支出主要項目有廢水回收及污染防制工程，以及因應氣候變遷， 設置許多製程機台之尾氣處理設備，削減全氟碳化物(PFCs)之排放等。